為了研究Flash存儲器在不同溫度下的性能變化的機理和溫變規(guī)律,評估其空間應用的可行性,為Flash器件在空間型號任務的應用提供試驗依據(jù)和改進建議。在溫變規(guī)律研究中,一般會用到NAND Flash高低溫篩選試驗機,下面,我們來了解一下Flash存儲的高低溫性能擦寫試驗研究。
試驗設備:環(huán)儀儀器 NAND Flash高低溫篩選試驗機
試驗樣品:某品牌Flash存儲器件 30個
試驗原理:溫度循環(huán)試驗是采用 GJB548 標準,1010B 條件循環(huán) 20 次,溫循后在常溫下測試器件電參數(shù),從而判斷溫循前后器件電參數(shù)是否發(fā)生了變化。
試驗過程:
1.先在-35~85 ℃的環(huán)境下進行了3個循環(huán)的高低溫循環(huán)試驗,每個高溫和低溫環(huán)境下各穩(wěn)定2h;
2.然后從-35℃的低溫升到95℃在 95 ℃下工作 2h;
3.接下來升溫到105 ℃,并在 105 ℃的溫度下連續(xù)工作 240 h。
試驗過程中 FASH 不停地進行擦、編程、讀,編程操作選用 0x55 和 0xAA 交替數(shù)據(jù)源。試驗期間,記錄下不同溫度下每個芯片的壞塊數(shù)、所有塊中的最小塊擦除時間(EraseMin)、所有塊中的最大塊擦除時間(EraseMax)、所有頁中最小頁編程時間(ProgramMin)、所有頁中最大頁編程時間(ProgramMax)。
試驗結(jié)果:
1.30 個芯片的 EraseMin 在不同溫度下的變化情況,個別芯片(2、16、18)在-35℃低溫條件下擦除時間比常溫時增加 72%。如下圖所示。
2.芯片的 EraseMax 在不同溫度下的變化情況,大部分芯片在-35 ℃低溫條件下擦除時間都發(fā)生了明顯增加,比常溫時增加 72%。由此可得,在-35 ℃的低溫情況下,塊擦除時間明顯增大,從常溫到 105 ℃的變化過程中,擦時間也逐漸增大,但是變化量較小,約10%。如下圖所示。
3.芯片的ProgramMin和 ProgramMax 在不同溫度下的變化情況。隨著溫度的增加,芯片的頁編程時間逐漸增大,基本與溫度成線性關系。從-35~105℃,頁編程時間增加了 15%。如下圖所示。
以上就是使用NAND Flash高低溫篩選試驗機對Flash存儲器件的試驗研究,如有疑問,可以咨詢環(huán)儀儀器相關技術人員。