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電子電器產(chǎn)品用材料和零部件voc釋放測(cè)試艙技術(shù)要求如下：
1.材料：
釋放測(cè)試艙內(nèi)四壁和放置被測(cè)樣品的支架材料應(yīng)選擇低釋放和低吸附VOC的材料。如聚四氟乙烯、經(jīng)過(guò)鈍化處理的不銹鋼或玻璃。
2.氣密性：
1000 Pa條件下其泄漏率應(yīng)小于測(cè)試艙容積的0.5%或不大于交換氣體量的5%。
3.型號(hào)選擇：
環(huán)儀儀器 HYV-1000（1m3）
.jpg "電子電器材料voc釋放測(cè)試艙技術(shù)要求(圖1)")
4.艙內(nèi)壓力：
微正壓(10士5)Pa。
5.艙內(nèi)空氣流動(dòng)：
釋放測(cè)試艙應(yīng)配置必要的輔助設(shè)備(例如風(fēng)扇)保證艙內(nèi)空氣在大容積和批量樣品情況下可以充分地混合。艙內(nèi)被測(cè)樣品表面風(fēng)速應(yīng)為0.1 m/ s~0.3 m/ s。
6.艙內(nèi)溫度控制：
控制范圍:20 ℃~80 ℃。
控制精度:±0.5℃。
.jpg "電子電器材料voc釋放測(cè)試艙技術(shù)要求(圖2)")
7.高溫清潔溫度：
應(yīng)大于或等于200 ℃。
8.艙內(nèi)相對(duì)濕度控制：
控制范圍:在20 ℃~30 ℃時(shí)，相對(duì)濕度20%~70%;在60 ℃~80 ℃時(shí),相對(duì)濕度3%~12%。
控制精度:±3%。
9.空氣交換控制：
控制范圍:空氣交換速率為0.2 h-1~5 h-1或進(jìn)氣流量為0.2 m3/h~5 m3/h。
控制精度:±3%。
.jpg "電子電器材料voc釋放測(cè)試艙技術(shù)要求(圖3)")
10.艙內(nèi)背景濃度：
任何一種VOC的濃度不超過(guò)2 ug/m3。
TVOC總濃度不超過(guò)20 ug/m3。
11.回收率：
甲苯的平均回收率在80%~120%之間。
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