根據國際半導體標準化組織(JEDEC)的要求,半導體設計和制造企業可以自行評估旗下產品的可靠性,偏壓高溫高濕試驗則是其中一項重要試驗項目,偏壓高溫高濕試模擬了“85/85”穩態濕度壽命試驗(JESD22-A101)的失效機理,即在讓元件長時間承受電氣性stress高溫(85℃)、高濕(85%RH)環境條件,至少運行1000h,評估元件的電力和機械性性能。
試驗標準:JESD22A-101:半導體工業協會頒布的標準,用于規范半導體器件的測試方法和程序。
試驗設備:環儀儀器 偏壓高溫高濕試驗箱
符合試驗:溫濕度貯存測試和溫濕度偏壓測試
1.溫濕度貯存(Temperature Humidity Storage, THS)測試用于評估半導體產品承受高溫和高濕條件下的耐受性。為了確定合適的曝露時間,建議通過測量打開防潮包裝后的吸濕量以模擬實際的使用環境。
2.溫濕度偏壓(THB)測試通過向產品施加電偏壓(Electrical Bias)的方法來評估其防潮性能。盡管大多數失效原因是由鋁腐蝕引起的,但溫度應力也會造成其它潛在問題。 該測試還可以用于檢測其它封裝可靠性問題,例如濕氣滲入引線間細小空隙或模塑孔而引發的焊盤金屬腐蝕問題,以及濕氣透過保護膜空隙滲入而導致的失效問題等。
備注:電偏壓(Electrical Bias):在兩點之間施加直流電(DC)以控制電路。
以上就是對偏壓高溫高濕試驗箱測試及標準的一些講解,如有試驗疑問,可以咨詢環儀儀器相關技術人員。